一个改善了的设计是如上图.通过增加一个PNP的三极管在漏极电路,每个JFET是配置来作为一个互补反馈对.这样的安排通过一个50的因子增加了JFET的跨导效应,且提供了本地失真降低的反馈.JFET是基于1mA的偏置,双极结型晶体管BJT是用2mA偏置的.
增益控制在一个宽的范围是很难在同样的源极电路用一个而单一可变电阻来达成,所以一个二级电位器连动和一级是在漏极电路增加了一个差分分流器.?
一个增益调整范围6-60dB之间是通过一个单一的旋钮来完成的,当使用线性电位器的时候,关于电位器旋转用线性旋钮有效地分布.使用对数旋钮能够提供一个更一致的衰减相对于旋转的分布.
在最高的增益设置时输入噪声只有5nV/√Hz,在一个输出的5V峰值时的谐波失真不大于0.012%.在一个常规的电平1Vrms,在60dB增益设置的时候,THD是0.003%,在增益设置小于+50dB时,低于0.001%.尽管电路是差分和对称,失真主要是位于良性的第二次的谐波.这个是因为差分放大器的配置使得非对称产生在漏极.导致差分信号幅度在J1和J2的漏极。失真在第三次以上谐波是实质上不存在的.
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